【時間】2025年3月13日（周四）下午14：30 開始

【地點(diǎn)】線下講座，8B214會議室

【主題】半導(dǎo)體晶圓的先進(jìn)檢測與量測方案

【主講人介紹】  

    林樹培博士，2023年于華中科技大學(xué)獲理學(xué)博士學(xué)位，目前在華中科技大學(xué)從事博士后研究，研究方向為半導(dǎo)體精密光學(xué)檢測和量測納米顆粒探測研究，在Phys. Rev. Lett.、Opt. Lett. 等權(quán)威期刊發(fā)表SCI論文5篇，獲授權(quán)發(fā)明專利2項，主持國家自然科學(xué)基金委青年項目，獲中國博士后特別資助和2023年國家資助博士后計劃C檔。

【內(nèi)容簡介】

    芯片是電子產(chǎn)品的心臟，承載著運(yùn)算和存儲的功能，也是世界各國競爭的重點(diǎn)領(lǐng)域。納米顆粒殘留在硅晶圓表面，會使芯片產(chǎn)生致命缺陷，光學(xué)顯微方法檢測納米顆粒具有無損、低成本、高通量等優(yōu)勢，但主流方案受限于散斑背景，無法檢測到硅晶圓表面直徑小于30 nm的顆粒，不能滿足先進(jìn)制程芯片的缺陷檢測需求。研究人員猜測散斑可能源于非均勻性照明、光路缺陷、外界雜散光、硅晶圓表面起伏等，但尚無確定性結(jié)論。本報告將揭示散斑主要源于硅晶圓基片表面的亞納米起伏，介紹抑制散斑背景的方法，提供半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測的新方案，還將介紹利用散斑實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶圓亞納米級位移和形變的測量方案。

誠摯歡迎廣大師生參加。