報(bào)告時(shí)間：2021年7月8日周四14：30-17:00

報(bào)告地點(diǎn)：8B214B

報(bào)告題目一：先進(jìn)多功能光電材料的開發(fā)及應(yīng)用（呂偉副研究員）

報(bào)告人簡介：呂偉，男，博士，副研究員。博士畢業(yè)于中國科學(xué)院長春光機(jī)所，目前主要研究方向?yàn)槎喙δ芄怆姴牧系拈_發(fā)，及其在照明顯示、醫(yī)學(xué)診療等方面的應(yīng)用研究。

報(bào)告簡介：光電材料在普通照明，特種照明、廣色域顯示、量子點(diǎn)顯示、激光顯示、核醫(yī)學(xué)成像、輻射探測等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。如何開發(fā)各領(lǐng)域針對性新型光電材料及評價(jià)其性能是目前面臨的關(guān)鍵難題。本報(bào)告將實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，基于本人工作，講述多功能光電材料的開發(fā)及應(yīng)用。

報(bào)告題目二：助熔劑法生長GaN晶體的研究（吳熙博士）

報(bào)告人簡介：吳熙，物理與光電工程系博士后。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體晶體的生長和以及晶體缺陷表征方面的研究工作。

報(bào)告簡介：隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，各種工作系統(tǒng)對微電子器件和光電子器件性能的要求也在不斷提高。然而，由于受制于材料本征物理性質(zhì)的限制，傳統(tǒng)Si基器件和GaAs基器件通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化對于性能的提升已經(jīng)非常有限。因此，尋找新型的半導(dǎo)體材料制作器件變得非常迫切。GaN是新型寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一，憑借其擊穿電壓高、禁帶寬度寬、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性質(zhì)，已經(jīng)成為制作新一代微電子器件和光電子器件的理想材料，并在武器裝備、航空航天、醫(yī)療衛(wèi)生、5G網(wǎng)絡(luò)通訊、照明、新能源汽車和自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域都具有非常廣闊的應(yīng)用前景。然而，GaN基器件在諸如可靠性、制備工藝、器件性能等領(lǐng)域還有很多科學(xué)問題和技術(shù)問題亟待解決。其中，高結(jié)晶質(zhì)量GaN襯底的缺乏是阻礙器件發(fā)展的一個(gè)主要技術(shù)瓶頸。Na助熔劑法具有生長條件溫和，成本低廉，GaN晶體結(jié)晶質(zhì)量高和晶體生長速度較快的優(yōu)點(diǎn)，因此具有在工業(yè)上實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量GaN晶體生長的潛質(zhì)。本報(bào)告將從助熔劑法的發(fā)展開始，基于本人工作，講述助熔劑法生長GaN晶體的研究進(jìn)展。

（一審：李艷霞；二審：任斌；三審：胡耀華）